Наука: Новый вид морских пауков назвали в честь Боба Марли
Арахнологи из Гамбургского университета и музея Квинсленда в Брисбене обнаружили и описали новый вид ...

Наука: Почему боль так сложно измерить — и облегчить?
Почему так сложно объяснить, что мы чувствуем, когда нам больно? Очевидно, это важный показатель ...

За увеличение числа одномандатников выскажется наука
Экспертные мнения о возможном изменении избирательной системы к выборам Госдумы-2021 в виде увеличения числа мест для одномандатников ...

Космическая неделя на телеканале «Наука»
21 июля 1969 года человечество в лице Нила Армстронга впервые ступило на поверхность Луны. Специально к 50-летию этой даты, телеканал «Наука ...

НПО "Наука" и Фонд развития промышленности подписали договор целевого займа
9 июля 2019 года НПО «Наука» и Фонд развития промышленности подписали договор целевого займа на сумму 26,3 млн рублей по программе «Лизинговые ...

Твердые Растворы На Основе Карбида Кремния
# 382031367

Твердые Растворы На Основе Карбида Кремния

722 р.

Настоящая монография содержит теоретические и экспериментальные результаты исследований в области формирования твердых растворов на основе SiC и соединений AlN, GaN, NbC, TiC, ZrC методами жидкофазной и газофазной эпитаксии

В работе представлены электрофизические, оптические и структурные свойства монокристаллов, эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе твердых растворов SiC, а также рассмотрены их приборные применения

Книга адресована научным работникам, аспирантам и студентам, работающим в области физики и технологии широкозонных полупроводниковых материалов, а также специалистам электронной промышленности.

100